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光電耦合器位移損傷效應(yīng)研究

Displacement damage of optocouplers

  • 摘要: 文章針對光電耦合器在空間輻射應(yīng)用中的位移損傷效應(yīng)，選取了一種典型的光電耦合器4N25進行了1MeV高能電子輻照試驗，獲得了輻照后器件電流傳輸比參數(shù)（CTR）的退化與電子注量的關(guān)系：在試驗注量范圍（1.3×1012 ~1.5×1013 cm-2）內(nèi)，nCTR與電子通量成反比。通過位移損傷對器件及材料作用過程的分析，探討了光電耦合器位移損傷效應(yīng)作用機理。

     

    Abstract: To study the radiation displacement damage of optocouplers, 4N25 is selected to be exposed under 1 MeV electron radiation. It is shown that the device’s parameter degradation is inversely proportional to the electron fluence. The mechanism of displacement damage of materials and devices, especially of the optocouplers, is discussed.

     

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